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石英振荡子
石英振荡器
二极管DIODE
 
晶振主要技术参数
  1) 标称频率:晶体元件技术规范中规定的频率,通常标识在产品外壳上,它与晶体元件的实际工作频率有一定的差值。
  2) 调整频差:在规定条件下,基准温度(25℃±2℃)时工作频率相对于标称频率所允许的最大偏差。
  3) 温度频差:在规定条件下,在工作温度范围内相对于基准温度(25℃±2℃)时工作频率的允许最大偏差。
  4) 等效电阻(ESR,Rr,R1):又称谐振电阻。在规定条件下,石英晶体谐振器不串联负载电容在谐振频率时的电阻。
  5) 负载谐振电阻(RL):在规定条件下,石英晶体谐振器和负载电容串联后在谐振频率时的电阻。
  6) 静电容(C0):等效电路中与串联臂并接的电容,也叫并电容。
  7) 负载电容(CL):从石英晶体谐振器插脚两端向振荡电路方向看进去的全部有效电容为该振荡器加给石英晶体谐振器的负载电容。负载电容系列是:8pF、12pF、15pF、20pF、30pF、50pF、100pF。负载电容与石英谐振器一起决定振荡器的工作频率,通过调整负载电容,一般可以将振荡器的工作频率调到标称值。产品说明书中规定的负载电容既是一个测试条件,也是一个使用条件,这个值可以根据具体情况作适当调整,负载电容太大时杂散电容影响减少,但微调率下降;负载电容小时、微调率增加,但杂散电容影响增加,负载电阻增加,甚至起振困难。负载电容标为∞即为串联谐振。
  8) 频率牵引灵敏度(Ts):为相对频率牵引范围对负载电容的变化率,即负载电容变化1pF时频率的相对变化值,它反映改变负载电容时引起频率变化的灵敏度,也称频率可调性。
  9) 激励电平:为石英晶体谐振器工作时消耗的有效功率。常用标准有0.1、0.3、0.5、1、2mW,产品说明书中每种产品规定的激励电平值是一个测试条件,也是一个使用条件,实际使用中激励电平可以适当调整。激励强,容易起振,但频率老化加大。激励太强甚至使石英片破裂,降低激励,频率老化可以改善,但激励太弱时频率瞬间变差,甚至不易起振
  10) 激励电平相关性(DLD):又称激励电平依赖性,为晶体元件谐振电阻随激励电平条件变化的效应。当加在晶体元件上的激励电平改变时,其谐振电阻也随之变化,该变化在一般情况下有一定规律,可用两个激励电平所对应的两个电阻之比表示,其表达式为: DLD=Rr1/Rr2(Rr1-为较低激励电平时的电阻,Rr2-为较高激励电平时的电阻)
  11) 绝缘电阻:各绝缘引出端之间或引出端与外壳之间的电阻。
  12) 基频:在振动模式最低阶次的振动频率。
  13) 泛音:晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍,这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。
14) 寄生:晶体元件的一种与要求的工作频率不同的谐振状态。又称寄生频率或寄生响应或无用响应。
二极管主要技术参数
  (1)最大整流电流Im。最大整流电流是指二极管长时间正常工作下,允许通过二极管的最大正向电流值。各种用途的二极管对这一参数的要求不同,当二极管用来作为检波二极管时,由于工作电流很小,所以对这一参数的要求不高。
   (2)最大反向工作电压Urm。最大反向工作电压是指二极管正常工作时所能承受的最大反向电压值,Urm约等于反向击穿电压的一半。反向击穿电压是指给二极管加反向电压,使二极管击穿时的电压值。二极管在使用中,为了保证二极管的安全工作,实际的反向电压不能大于Urm。
  (3)反向电流Ico。反向电流是指给二极管加上规定的反向偏置电压情况下,通过二极管的反向电流值,Ico大小反映了二极管单向导电性能。 给二极管加上反向偏置电压后,没有电流流过二极管,这是二极管的理想情况,实际上二极管在加上反向电压后或多或少地会有一些反向电流,反向电流是从二极管负极流向正极的电流。
  (4)最高工作频率fM。二极管可以用于直流电路中,OPA2336U也可以用于交流电路中。在交流电路中,交流信号的频率高低对二极管的正常工作有影响,信号频率高时要求二极管的工作频率也要高,否则二极管就不能很好地起作用,这就对二极管提出了工作频率的要求。
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